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-刻蝕形貌好、工藝性能優越
-高選擇比、高刻蝕速率
-低擁有成本和消耗成本
晶圓尺寸:6/8寸兼容
適用工藝:等離子體刻蝕
適用材料:SiO2,Si3N4,etc.
適用領域:化合物半導體、MEMS、功率器件、科研等領域
SiO2 4um SiO2 2um SiN 2um
產品中心
生產基地:上海市浦東新區康橋東路1369號C棟220
電話:400-1521-605;18049905701(微信同號)
Email:18049905701@189.cn
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