經過產業驗證的專業設計為Plasma Perform的工藝表現提供了強有力的保證
l 上、下電極溫度快速可控,為工藝過程提供穩定的溫度環境。
l 多層勻氣系統及中心抽氣模式,保證樣品表面氣體分布更加均勻,提升工藝均勻性。
l PECVD工藝過程的雙頻模式可以實現沉積薄膜的應力可調。
l 下電極兩種溫區選擇(150度到400度與150度到700度),為您的工藝提供不同的選擇。
l RIE工藝過程的解耦雙頻(60MHz/2MHz)的選擇刻蝕刻蝕工藝獨立控制等離子體能量與等離子體密度,從而有效擴寬工藝窗口。
l 刻蝕過程等離子體約束機構可以有效提高射頻能量利用率,提升刻蝕速率與穩定性。
射頻誘導線圈的引入,為整個系統提供一個更加穩定的射頻回路與環境,從而使得整個系統工藝過程穩定。