射頻等離子清洗機中的電感耦合(ICP)和電容耦合(CCP)
電容耦合等離子體(CCP)
電容耦合等離子體(Capacitively Coupled Plasma,CCP)源是材料加工的關鍵等子體源之一,電容耦合放電在微電子工業中得到廣泛應用,分為單頻電容耦合等離子體源和雙
頻電容耦合等離子體源。對于單頻CCP,其放電裝置類似于平行板電容器。為了使電容器放電,必須加上一個相對較高振幅的電壓,這將提供一個相對較大的電容。放電板與
單個射頻源相連,等離子體中的電子通過射頻電場獲得能量。
CCP等離子體源一般由射頻源和兩個平行板所構成。其優勢是不但有利于保證形成穩定大規模、均勻分布的等離子體,而且還有利于獨立調節等離子體密度和離子轟擊能量。
所以,電容耦合等離子體源以其獨特的優勢成為工業應用中最常用的等離子體源。
電感耦合等離子體(ICP)
電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma, ICP)源廣泛應用于等離子體處理工藝和等離子體源。ICP等離子體源的結構根據其幾何形狀可以分為圓筒形和平面型。
在等離子體處理放電中,如何在襯底表面實現高均勻度的等離子體是非常重要的。在各種高密度的等離子體源中,ICP 源更容易擴展到較大尺寸。
模式轉換是 ICP 源最有前途的特性之一,它與等離子體的耦合特性有關。電容(E)模式在低功率時產生強靜電耦合,感應(H)模式在高功率時產生電磁耦合。特別是在E模式
(靜電耦合)和 H(電磁耦合)模式之間的過渡區,強烈地依賴于等離子體阻抗和幾何參數,如放電體積、感應線圈的配置,以及傳輸到等離子體的功率。在 ICP 源的情況下,
當 ICP 源天線的輸入功率較低時,會與等離子體產生容性耦合,其功率傳輸效率較低,阻抗匹配不穩定,當 ICP 源天線的輸入功率較高時,會與等離子體發生電感耦合。
PLUTO等離子清洗機